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图揭英特尔制造工艺:究竟有何过人之处?
作者:博亚体育app官方入口 来源:博亚体育app官方入口 点击: 发布日期: 2022-04-10 00:08
信息摘要:
Intel22nm工艺早就首次用以了三维立体式晶体三极管,14nm上把演变到第二代,别的生产商则不容易陆续上马类似的FinFET,还包含tsmc16nm、三星/GlobalFoundries14nm。...
本文摘要:Intel22nm工艺早就首次用以了三维立体式晶体三极管,14nm上把演变到第二代,别的生产商则不容易陆续上马类似的FinFET,还包含tsmc16nm、三星/GlobalFoundries14nm。

工艺

以前大家详细了解过Intel14nm工艺的独到之处,但那基础仅仅单一的解读,没和别的生产商、别的工艺的正脸比照。日本国同行业PCWatch前不久也对Intel新工艺保证了一番分析,更加显出了世界第一处理芯片大佬的强悍。

  Intel22nm工艺早就首次用以了三维立体式晶体三极管,14nm上把演变到第二代,别的生产商则不容易陆续上马类似的FinFET,还包含tsmc16nm、三星/GlobalFoundries14nm。  来想起好多个工艺的间距数据信息:  Intel14nm的栅极间距为70nm,內部互联网超过间距为52nm,这两项指标值各自比22nm扩大了22%、35%。  比较之下,tsmc16nm、三星/GF14nm的栅极间距分别是90nm、78nm,前面一种只相当于Intel22nm的水准,后面一种也额太弱一些,而內部互联网超过间距则全是64nm,相比于Intel大了23%。

  这种间距就越小,就可以把晶体三极管保证得更为小、更为契,针对电源电路处理速度、处理芯片特性的必要性显而易见。


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